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國家納米科學(xué)中心劉新風(fēng)研究團(tuán)隊(duì) Science :首次測定超高熱導(dǎo)率半導(dǎo)體-砷化硼的載流子遷移率

來源:國家納米科學(xué)中心      2022-07-22
導(dǎo)讀:國家納米科學(xué)中心劉新風(fēng)研究員團(tuán)隊(duì)聯(lián)合休斯頓大學(xué)包吉明團(tuán)隊(duì)和任志鋒團(tuán)隊(duì)在超高熱導(dǎo)率半導(dǎo)體-立方砷化硼(c-BAs)單晶的載流子擴(kuò)散動力學(xué)研究方面取得重要進(jìn)展,為其在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用提供重要基礎(chǔ)數(shù)據(jù)指導(dǎo)和幫助。相關(guān)研究成果發(fā)表在 Science 雜志上。

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國家納米科學(xué)中心劉新風(fēng)研究員團(tuán)隊(duì)聯(lián)合休斯頓大學(xué)包吉明團(tuán)隊(duì)和任志鋒團(tuán)隊(duì)在超高熱導(dǎo)率半導(dǎo)體-立方砷化硼(c-BAs)單晶的載流子擴(kuò)散動力學(xué)研究方面取得重要進(jìn)展,為其在集成電路領(lǐng)域的應(yīng)用提供重要基礎(chǔ)數(shù)據(jù)指導(dǎo)和幫助。相關(guān)研究成果發(fā)表在 Science 雜志上。

隨著芯片集成規(guī)模的進(jìn)一步增大,熱量管理成為制約芯片性能越來越重要的因素。受散熱問題的困擾,人們不得不犧牲處理器的運(yùn)算速度。從2004年后,CPU的主頻便止步在了4GHz,只能通過增加核數(shù)來進(jìn)一步提高整體的運(yùn)算速度,然而這一策略對于單線程的算法卻是無效的。2018年,具有超高熱導(dǎo)率的半導(dǎo)體c-BAs的成功制備引起了人們極大興趣,其樣品實(shí)測最高室溫?zé)釋?dǎo)率超過1000 Wm-1K-1,約為Si的十倍。c-BAs不僅具有高的熱導(dǎo)率,由于其超弱的電聲耦合系數(shù)和帶間散射,理論預(yù)測c-BAs還同時具有非常高的電子遷移率(1400 cm2V-1s-1)和空穴遷移率(2110 cm2V-1s-1),這在半導(dǎo)體材料系統(tǒng)中是非常罕見的,有望將其應(yīng)用在集成電路領(lǐng)域來緩解散熱的困難并且能夠?qū)崿F(xiàn)更高的運(yùn)算速度,因而通過實(shí)驗(yàn)來確認(rèn)這種高熱導(dǎo)率的半導(dǎo)體材料的載流子遷移率具有非常重要的意義。

c-BAs被制備出來,但樣品中廣泛分布著不均勻的雜質(zhì)與缺陷,為其遷移率的測量帶來極大的困難。一般可以通過霍爾效應(yīng),測定樣品的載流子的遷移率,然而電極的大小制約著其空間分辨能力,并直接影響到測試的結(jié)果。2021年,利用霍爾效應(yīng)測試的c-BAs單晶的遷移率報(bào)道結(jié)果僅為22 cm2V-1s-1,與理論預(yù)測結(jié)果相差甚遠(yuǎn)。具有更高的空間分辨能力的原位表征方法是確認(rèn)c-BAs本征遷移率的關(guān)鍵。

通過大量的樣品反復(fù)比較,研究團(tuán)隊(duì)確定了綜合應(yīng)用XRD、拉曼和帶邊熒光信號來判斷樣品純度的方法,并挑選出了具有銳利XRD衍射(0.02度)窄拉曼線寬(0.6波數(shù)),接近0的拉曼本底,極微弱帶邊發(fā)光的高純樣品。進(jìn)一步,研究團(tuán)隊(duì)自主搭建了超快載流子擴(kuò)散顯微成像系統(tǒng)。通過聚焦的泵浦光激發(fā),廣場的探測光探測,實(shí)時觀測載流子的分布情況并追蹤其傳輸過程,探測靈敏度達(dá)到了10-5量級空間分辨能力達(dá)23 nm。利用該測量系統(tǒng),詳細(xì)比較了具有不同雜質(zhì)濃度的c-BAs的載流子擴(kuò)散速度,首次在高純樣品區(qū)域檢測到其雙極性遷移率約 1550 cm2V-1s-1這一測量結(jié)果與理論預(yù)測值(1680 cm2V-1s-1)非常接近。通過高能量(3.1 eV,400 nm)光子激發(fā),研究團(tuán)隊(duì)還發(fā)現(xiàn)了長達(dá)20ps的熱載流子擴(kuò)散過程,其遷移率大于3000 cm2V-1s-1。

立方砷化硼高的載流子和熱載流子遷移速率,以及其超高的熱導(dǎo)率,表明其可以廣泛應(yīng)用在光電器件、電子元件中。該研究工作厘清了理論和實(shí)驗(yàn)之間存在的巨大差異的具體原因,為該材料的應(yīng)用指明了方向。

國家納米科學(xué)中心副研究員岳帥為文章第一作者,劉新風(fēng)研究員為通訊作者。文章的共同第一作者為休斯頓大學(xué)田非博士(現(xiàn)中山大學(xué)教授),共同通訊作者為休斯頓大學(xué)包吉明教授和任志鋒教授。該研究工作得到了中國科學(xué)院戰(zhàn)略性先導(dǎo)科技專項(xiàng)(B類),國家自然科學(xué)基金委項(xiàng)目,萬人計(jì)劃青年拔尖人才計(jì)劃,科技部重點(diǎn)研發(fā)計(jì)劃,科學(xué)院儀器研制項(xiàng)目等項(xiàng)目的大力支持。

 

       原文鏈接:https://www.science.org/doi/10.1126/science.abn4727




1. c-BAs單晶的表征。(Ac-BAs單晶的掃描電鏡照片;(B111面的射線衍射;(C)拉曼散射(激發(fā)波長532 nm);(D)極微弱的帶邊發(fā)光(激發(fā)波長593 nm)及熒光成像(插圖,標(biāo)尺為10微米)。



2. 瞬態(tài)反射顯微成像和在c-BAs中的載流子擴(kuò)散。(A)實(shí)驗(yàn)裝置示意圖,激發(fā)波長為600 nm探測波長為800 nm;(B)不同時刻的瞬態(tài)反射顯微成像(標(biāo)尺1微米);(C)典型的載流子動力學(xué);(D0.5 ps的二維高斯擬合(E)不同時刻的載流子分布方差隨時間的演化及載流子遷移率,誤差標(biāo)尺代表95%置信擬合區(qū)間。


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