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Nat Commun:南科大林君浩課題組與聯(lián)合團隊共同發(fā)現(xiàn)了一種具有室溫本征面內(nèi)鐵電極化的新型二維材料

來源:南方科技大學      2022-10-24
導讀:近日,南方科技大學物理系副教授林君浩團隊在新型二維鐵電材料鐵電疇結構的調(diào)控方面取得重要研究進展,團隊發(fā)現(xiàn)了一種具有室溫本征面內(nèi)鐵電極化的新型二維材料Bi2TeO5,并觀測到由插層鐵電疇壁誘導的鐵電疇大小、形狀調(diào)控機制及由此產(chǎn)生的鐵電相到反鐵電相的轉變。相關成果以“Continuously tunable ferroelectric domain width down to the single-atomic limit in bismuth tellurite(碲酸鉍化合物中寬度無極可調(diào)至單原子極限的鐵電疇)”為題發(fā)表在學術期刊《自然通訊》(Nature Communications)上。
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鐵電材料因其具有穩(wěn)定的自發(fā)極化,并且極化方向可以在外電場作用下發(fā)生翻轉,因而在存儲器、傳感器、場效應晶體管以及光學器件等方面具有非常廣闊的應用前景。近年來,研究人員發(fā)現(xiàn)了一批以CuInP2S6、In2Se3等為代表的二維本征鐵電材料,媒體對層間滑移鐵電性的報道也逐漸增多,這使得二維鐵電材料成為該領域的熱點研究課題。相比于塊體材料,二維材料的層間作用力為范德華力,表面不存在懸鍵,這有效避免了表面缺陷及表面重構等效應的產(chǎn)生,從而有可能實現(xiàn)薄層甚至單層的鐵電性,更有助于其在納米器件方面的應用。然而,目前對二維材料鐵電疇結構的調(diào)控及鐵電-反鐵電相變等方面仍缺乏系統(tǒng)性的研究。
有鑒于此,林君浩團隊通過采用CVD的方法成功合成出一種新型的室溫二維鐵電材料,并通過壓電力顯微測試(PFM)證實該材料存在面內(nèi)的鐵電疇結構。結合電子衍射及原子尺度的能譜分析發(fā)現(xiàn)該材料為正交結構的Bi2TeO5。根據(jù)第一性原理計算的結果,Bi2TeO5為典型的位移型鐵電材料,其面內(nèi)鐵電極化來源于Bi3+離子沿a軸的位移以及BiO5四棱錐結構沿b軸的傾轉。結合像差校正透射電鏡可以對亞埃尺度的離子位移進行分析,進而獲得Bi3+離子的位移大小及分布情況。經(jīng)過統(tǒng)計,實驗上Bi3+離子沿a軸方向存在明顯且均勻的位移,其位移大小約為0.14 ?,這與計算的0.11 ?十分接近。
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圖1 二維層狀鐵電材料Bi2TeO5的CVD生長及結構表征。a, 二維層狀Bi2TeO5的光鏡圖;b-c, 樣品的表面形貌及對應的面內(nèi)PFM圖像;d-f, 不同方向Bi2TeO5的結構模型以及鐵電極化的產(chǎn)生;g-I, Bi2TeO5的原子尺度結構表征及對應的極化分布。
對Bi2TeO5中疇結構的進一步研究發(fā)現(xiàn),樣品中存在大量的條狀疇結構。原子尺度結構分析表明,這種條狀疇為180°鐵電疇。與其他鐵電材料明顯不同的是,在180°鐵電疇壁處多出來一列由Bi/Te共同構成的原子面,從而形成平面插層缺陷。除此之外,疇壁處還存在明顯的晶格畸變特征以及極化減弱現(xiàn)象。計算表明,Bi/Te插層疇壁的存在有效降低了鐵電疇之間拼接的應變能,從而使得180°疇壁能夠穩(wěn)定存在。
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圖2 Bi/Te插層誘導的180°鐵電疇的形成。a, Bi2TeO5中典型條狀180°鐵電疇的面內(nèi)PFM;b, 180°鐵電疇壁的原子尺度HAADF-STEM圖;c-e, 180°鐵電疇壁處鐵電離子位移(DBi)及晶格畸變(晶格轉角θ)的原子尺度分析;f, 弛豫后180°鐵電疇的結構模型。
此外,團隊還發(fā)現(xiàn)通過調(diào)控前驅體中Bi2O3和Te的比例還可以有效實現(xiàn)180°鐵電疇寬度的調(diào)控。PFM和高分辨STEM結果均表明,隨著Bi2O3比例的降低,樣品中的180°疇寬度明顯變小。極限條件下,當鐵電疇的寬度降到半個單胞(約1nm),相鄰的Bi3+的離子位移會表現(xiàn)出周期性的反平行排列特征,此時樣品由鐵電相完全轉變?yōu)榉磋F電相。樣品整體表現(xiàn)出均勻的反鐵電特征,宏觀剩余極化為零。與180°疇的形成類似,在反鐵電相中高密度Bi/Te插層缺陷的引入同樣能夠作為緩沖層有效降低體系的應變能,與此同時,材料由鐵電性的Bi2TeO5完全轉變?yōu)榉磋F電性的Bi5Te3O13結構。
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圖3插層對疇寬度的調(diào)控及鐵電相到反鐵電相的轉變。a-d, 具有不同周期的180°疇HAADF-STEM圖像;e-h分別為對應圖a-d中的離子位移分布。
本研究工作發(fā)現(xiàn)了Bi2TeO5室溫面內(nèi)鐵電性,豐富了本征二維鐵電材料體系,同時揭示了插層缺陷作為新的調(diào)控單元對二維Bi2TeO5薄膜鐵電疇大小及方向的調(diào)控,及由此產(chǎn)生的低維鐵電-反鐵電相變,為二維鐵電材料鐵電疇結構及相結構的調(diào)控提供了新思路,并為其在未來納米器件領域的應用提供了新方向。
南方科技大學物理系韓夢嬌博士(現(xiàn)為松山湖材料實驗室副研究員)與中國人民大學王聰博士為論文共同第一作者。中國人民大學教授季威、蘇州納米所研究員康黎星為共同通訊作者,林君浩為最后通訊作者,南科大為論文第一單位。中國科學院金屬研究所王宇佳副研究員,馬秀良研究員,量子科學與工程研究院研究員戴俊峰、物理系講席教授王峻嶺也參與了該項工作。
以上研究獲得了國家重點研發(fā)計劃、國家自然科學基金、廣東省科技廳國際合作創(chuàng)新領域、廣東省創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)團隊、深圳市孔雀團隊等項目以及南方科技大學皮米中心的大力支持。
論文鏈接:https://www.nature.com/articles/s41467-022-33617-x
參考資料:https://phy.sustech.edu.cn/news/detail/3393.html?lang=zh-cn

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