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有鑒于此，該團隊將此策略應用到新光電子器件的制備上，組裝出了全范德瓦爾斯石墨烯/AgBiP2Se6/石墨烯垂直異質結光電子探測器，并通過應用高偏置電壓引入缺陷態(tài)（trap state）的方式，國際上率先實現(xiàn)了高負光電導響應的光電子探測器件，器件負光電響應度達到了創(chuàng)紀錄的4.9 × 105 A/W。同時，該器件還表現(xiàn)出了優(yōu)異的綜合光電性能，包括：1.3 × 108 %的高外量子效率（EQE）和 3.60 × 1012 Jones的高光電探測率。該工作中提出的縮短載流子傳輸通道長度與高偏壓誘導缺陷態(tài)策略，將為設計實用性高負光電導探測器件指明道路，有望應用于多功能光電集成芯片設計中。

相關成果以“Giant Negative Photoresponse in van der Waals Graphene/AgBiP2Se6 /Graphene Trilayer Heterostructures”為題發(fā)表在國際材料頂級期刊Advanced Materials上（Advanced Materials, 2024, DOI:10.1002/adma.202312541），第一作者：何偉（20級碩士研究生）和伍棟（21級碩士研究生），通訊作者：于鵬副教授。中山大學材料科學與工程學院為論文第一完成單位。楊國偉教授對本工作的完成給予了重要的指導。該研究工作受到國家重點研發(fā)計劃，國家自然科學基金、廣東省自然科學基金以及光電材料與技術國家重點實驗室重點培育基金的大力支持。

論文鏈接：

https://onlinelibrary.wiley.com/doi/abs/10.1002/adma.202312541